CCD結構與MOS型集成電路分析顯微鏡

    CCD(電荷耦合器)
    CCD存儲器是隨著MOS型半導體技術的發(fā)展而得到的器件,具有以往
半導體器件所沒有的許多特征,可以期望用子移位寄存器、攝像儀及數(shù)
字存儲器等。CCD的結構與MOS型的集成電路相類似。在n型硅基板上經(jīng)
由氧化膜,過石印術使電極一個挨一個地排在一起。給電極加負壓,則
在氧化層下形成“電位井”。因此,采用某種辦法由外部引入作為載體
的少量空穴,則集攏于“電位井”。然后向鄰接的電極施加更大的負電
壓,則積蓄在原電極下的空穴進而向鄰近的電位井移動。如此不斷重復
下去,沿多數(shù)電極列移動電荷是可能的。

    由于受光照也可能發(fā)生空穴,把光信號作為電荷積起來,定時沿電
概列傳送,可以由輸出端作為電信號取出。CCD應用于攝像儀,稱為“電
子照相機”或“固體照相機”。由于集成電路能將CCD拾得的光信息加
以存儲和處理,故利用CCD的攝像儀在未來的“電子照相機”方面的應
用前景相當光明。磁泡作為新型存儲器,“磁泡”這個詞大概許多人都
聽說過。在沿厚度方向易于發(fā)生磁化的強磁性體薄膜的垂直方向上,

(本文由上海光學儀器廠編輯整理提供, 未經(jīng)允許禁止復制http://www.shhzengshi.com)